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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
25
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
20
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3483
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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