RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
40
Velocità di lettura, GB/s
16.1
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2411
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link