RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2341
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link