RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Confronto
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
6.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1370
2846
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link