RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
43
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
24
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3204
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link