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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
43
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
19
Velocità di lettura, GB/s
14.9
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3485
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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