RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2236
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link