RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
43
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
41
Velocità di lettura, GB/s
14.9
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2302
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link