Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 11
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 43
    Intorno -54% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 11.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 1775
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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