RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3861
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link