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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
43
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
35
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3147
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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