RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
14.9
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
4322
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link