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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3208
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
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