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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
99
Intorno 57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
99
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
1499
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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