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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3018
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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