RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
46
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
46
Velocità di lettura, GB/s
14.9
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2311
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link