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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 13
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 7.9
    Valore medio nei test
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 43
    Intorno -16% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 13.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 2512

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Memoria RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Memoria RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Memoria RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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