RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
37
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2592
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link