Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 43
    Intorno -23% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.2 left arrow 14.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 16.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 3242
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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