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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3233
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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