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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
9.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno -16% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
37
Velocità di lettura, GB/s
14.9
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2082
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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