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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3634
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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