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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
46
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
46
Velocità di lettura, GB/s
14.9
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2571
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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