Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 100
    Intorno 57% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.2 left arrow 14.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 100
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 15.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 8.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 1479
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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