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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 14.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 7.9
    Valore medio nei test
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 43
    Intorno -26% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 2565

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Memoria RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Memoria RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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