RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
59
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
23
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2408
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link