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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
59
Intorno -195% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
20
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3509
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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