RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
59
Intorno -146% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
24
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2917
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link