RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
59
Intorno -90% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
31
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3553
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link