RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
59
Intorno -136% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
25
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3886
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link