RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
59
Intorno -23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
48
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2852
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link