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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
59
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
37
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2751
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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