RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
59
Intorno -119% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
27
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3327
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link