RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
59
Intorno -97% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
30
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3568
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link