RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
59
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
22
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3207
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link