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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
59
Intorno -119% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
27
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3259
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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