RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
59
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
41
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2154
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Mushkin 994083 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link