RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
59
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
33
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2496
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link