RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HX424C15FB/8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
59
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
22
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2684
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link