RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
59
Intorno -90% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
31
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3112
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link