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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
59
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
26
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2192
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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