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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
59
Intorno -40% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
42
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2583
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
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