RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
59
Intorno -136% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
25
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2620
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link