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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
59
Intorno -195% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
20
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3230
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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