RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
59
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
38
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2404
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link