RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
59
Intorno -228% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
18
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3529
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link