RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
59
75
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
75
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
1763
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link