RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
59
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
22
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2388
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link