RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
69
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
48
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2080
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 99P5471-021.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link