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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
69
Intorno -214% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
22
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
3188
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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